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IRF1010E 场效应管 特价

品牌/商标:ADV美国先进半导体 型号/规格:IRF1010E 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CHIP/小型片状 材料:GaAS-FET砷化镓 漏极电流:1 跨导:1 开启电压:1 夹断电压:1 低频噪声系数:1 极间电容:11 耗散功率:1

IXGH32N60B 场效应管 32N60

类型:其他IC 品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:IXGH32N60B 用途:AM/调幅 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:ALGaAS铝镓砷 沟道类型:N沟道 种类:绝缘栅(MOSFET) 导电方式:增强型